Клемин С.Н.

 Изобретение служит для изготовления фотоприемников. Сущность: исходную кремниевую подложку p+-типа проводимости, легированную галлием, отжигают для получения на поверхности слоя р-типа. В случае проведения отжига в нейтральной или окислительной газовой среде при 1150 - 1230oС резкость p+-р-переходов выше, чем в случае отжига в вакууме при тех же температурах. Экспериментальным путем найде...

 Применение: изобретение относится к области электронной техники, в частности к оптоэлектронике. Сущность изобретения: фотоприемники многоэлементного фотоприемного устройства дополняются накапливающим заряд элементом, в частности МДП структурой или МДП структурой с низкоомным слоем полупроводника, под слоем диэлектрика. 2 з. п. ф-лы, 3 ил. Изобретение относится к области микроэлектроники и...