PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Достанко А.П.

Изобретатель Достанко А.П. является автором следующих патентов:

Способ формирования планаризованных тонких пленок

Способ формирования планаризованных тонких пленок

 Использование: технология микроэлектроники, в частности получение тонких металлических пленок. Сущность изобретения: в способе формирования планаризованных тонких пленок модулируют частотой не более 4 МГц по амплитуде величину ВЧ-смещения на подложке в процессе осаждения тонкой металлической пленки распылением в разряженной среде инертного газа. 1 ил. Изобретение относится к технологии ми...

1829760

Способ плазменного травления алюминия

Способ плазменного травления алюминия

 Использование: электронная техника, создание интегральных схем, обработка объектов с нанесенными на них пленками, обработка массивных алюминиевых деталей. Цель: увеличение скорости и равномерности травления. Сущность изобретения: под действием энергии сверхвысокочастотного поля разряд, созданный импульсами постоянного тока, перемещается относительно поверхности объекта травления, при этом...

1829774

Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора

Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора

  Использование: изготовление тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов и панелей, работающих на постоянном или переменном токе. Цель: повышение эксплуатационной надежности изделий. Сущность изобретения: диэлектрические и электролюминесцентный слои осаждают при вращении подложки в собственной плоскости, причем угол падения конденсируемого потока выбирают в диапазоне 75-85° относител...

1829874

Сверхвысокочастотное разрядное устройство

Сверхвысокочастотное разрядное устройство

 Использование: плазменная техника, электронная, радиотехническая и приборостроительная промышленность при создании интегральных схем, оптоэлектронных и оптических приборов, а также при обработке больших поверхностей стекол зеркал или линз. Сущность изобретения: система возбуждения электромагнитного поля в сверхвысокочастотном разрядном устройстве выполнена в виде двух гребенчатых структур...

1829879