Баранцев С.А.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов различного назначения, в частности, при изготовлении межсоединений в транзисторах, интегральных микросхемах и других функциональных тонкопленочных устройствах с повышенными требованиями по адгезии и электросопротивлению. На кремниевую подложку с диэлектрическим слоем методом термич...