Шелякин А.А.

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: на подложке А3В5 последовательно осаждают эпитаксиальный слой, слой нелегированного твердого раствора соединения А3B5, слой А3B5 противоположного типа проводимости относительно первого слоя А3В5 и контактный слой, формируют локальные омические контакты и по крайней мере к одной из поверхностей структуры барьерные области, а также о...