Вагнер Н.А.

 Использование: в системах записи и воспроизведения информации, измерительной, медицинской технике, системах связи. Сущность: на поверхности эпитаксиальной структуры многолучевого полупроводникового инжекционного излучателя выполнены по крайней мере три полосковых омических контакта и разделительные области в виде канавок с соответствующими шириной и удалением краев канавок от центров данн...