Сидоров О.Л.

 Изобретение относится к способу очистки галлия методом направленной кристаллизации. Способ включает получение расплава, местное охлаждение расплава, рост кристалла при перемещении его вверх по окружности с линейной скоростью 5-30 мм/ч. Перемешивание расплава ведут со скоростью 5-30 мм/ч, степенью очистки 99,99991-99,99997 мас.% и степенью отверждения 70-95%. Техническим результатом являет...

 Изобретение относится к технологии переработки отходов полупроводникового фосфида галлия с целью извлечения дорогостоящего и дефицитного галлия. Способ для получения галлия из отходов полупроводникового фосфида галлия включает вакуумтермическое разложение его при нагреве в графитовом тигле при температуре 1050-1200С при остаточном давлении 0,133-6,666 Па (110-3-510-2 мм рт.ст.) с отделени...