Рыжов И.Ю.

 Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых инжекционных лазеров, применяемых в устройствах обработки оптической информации, измерительной, медицинской и вычислительной технике. Сущность: на гетероэпитаксиальной структуре формируют фоторезистивную маску и по ней вытравливают мезаполоску методом ионно-химического травления, проводят анодное окислен...