ИНОЗЕМЦЕВ ГЕННАДИЙ МАРКОВИЧ

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия с затвором субмикронной длины. Сущность изобретения: после формирования омических контактов на структуре арсенида галлия с рабочим и контактным слоем наносят слой диоксида кремния пиролитическим разложением тетрээтоксисилана. затем наносят слой нитрида кремния магнетронным способом ,...