Антонюк А.Д.

 Изобретение относится к области контроля параметров полупроводниковых структур после технологических операций. Полупроводник облучают зондируюшим электромагнитным излучением, длина волны которого больше толщины исследуемого слоя полупроводника, измеряют интенсивность интерференционных максимумов I или II порядков отраженного или прошедшего сигнала, одновременно с облучением исследуемую по...