Григорашвили Ю.Е.
Изобретатель Григорашвили Ю.Е. является автором следующих патентов:
Способ получения высокотемпературного сверхпроводникового материала системы bi-pb-sr-ca-cu-o
Использование: электротехника, микроэлектроника. Сущность изобретения: смешивают оксиды висмута и меди, нитраты стронция и кальция, оксид или нитрат свинца. Получают вязкую смесь добавлением концентрированной азотной кислоты. Термообрабатывают при 860 - 870oС в течение 16 - 24 ч. 1 табл. Изобретение относится к способам получения оксидных соединений высмута-свинца-стронция-кальция-меди, к...
1805802Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок
Сущность изобретения: способ включает осаждение сверхпроводниковых пленок путем распыления керамической мишени в катодном распылительном узле. Подложки размещают параллельно оси симметрии катодного распылительного узла между входным отверстием вакуумной откачкой системы и выходным отверстием системы напуска аргонаи кислорода на расстоянии l (4 - 20) D от катодного распылительного узла, гд...
1829818Датчик слабого магнитного поля
Использование: в области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля состоит из диэлектрической подложки на основе оксида магния, магниточувствительного элемента из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox, выполненного в виде меандра. Техническим результатом изобр...
2221314