Мингазин В.Т.

 Использование: в области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля состоит из диэлектрической подложки на основе оксида магния, магниточувствительного элемента из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox, выполненного в виде меандра. Техническим результатом изобр...