СТРЕЛЬЧЕНКО СТАНИСЛАВ СЕРГЕЕВИЧ
Изобретатель СТРЕЛЬЧЕНКО СТАНИСЛАВ СЕРГЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Полупроводниковая гетероструктура для импульсного излучателя света
Использование: изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к конструкциям полупроводниковых гетероструктур для импульсных излучателей света. Сущность изобретения: гетероструктура обеспечивает возможность работы с ней при любой полярности внешнего смещения за счет полной ее симметрии относительно узкозонного базового слоя как по типу проводимости и уровню легирования, так...
1837369