Аболдуев Игорь Михайлович (RU)

 Изобретение относится к области радиотехники и предназначено для улучшения электрических параметров усилителя. Техническим результатом является повышение выходной мощности и коэффициента усиления за счет подавления паразитных колебаний на частотах ниже диапазона рабочих частот. Технический результат достигается путем введения в усилитель СВЧ, содержащий входной и выходной квадратурные мос...

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей, эффективность подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, ослаблени...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой из AlN, буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN...