Ячменев Владимир Васильевич (RU)

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, а именно, к производству больших интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией. Сущность: способ включает формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+ -стопорных об...