Барышев Вячеслав Григорьевич (RU)

 Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов, в частности МДП-ИС, и предназначено для контроля качества операций технологического процесса изготовления МДП-ИС, следующих за операцией формирования подзатворного диэлектрика. Сущность: способ заключается в измерении вольт-фарадных характеристик МДП-структур. При этом измерение производится на МДП-конденсаторах, раз...