Емельянов Аркадий Владимирович (RU)

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструированию и созданию различного рода полупроводниковых приборов, требующих определенных электрофизических параметров для межфазных границ полупроводник-диэлектрик. Сущность: структура содержит в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника. При этом химически...

 Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов. Сущность: способ включает погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку, и подачу на пластину электрического напряжения. При этом в качестве галогеносодержащей...

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании интегральных схем на полупроводниках А3В5. Сущность: электролит содержит диметилформамид, персульфат аммония и глицерин. Кроме того, он дополнительно содержит галогеносодержащую соль аммония, а именно фтористый аммоний или хлористый аммоний, при следующем соотношении ингредиен...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии создания многоэлементных МДП-приборов на полупроводнике кадмий-ртуть-теллурид. Сущность: способ включает формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка. При этом слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С,...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение в технологии МДП-приборов, в частности многоэлементных приемников на узкозонных полупроводниках типа АIIIВV . Сущность: способ осуществляется путем подачи положительного напряжения на окисляемую пластину. Перед подачей напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицат...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов, в частности МДП-приборов на полупроводниках типа АIIIВV . Сущность: способ осуществляется путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит. При этом полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый их которых характер...

 Изобретение относится к области микроэлектроники и может найти широкое применение в технологии МДП-приборов. Сущность: электролит содержит аммоний надсернокислый, глицерин, углерод четыреххлористый и диметилформамид. Кроме того, электролит дополнительно содержит воду при следующих соотношениях ингредиентов вес.%: вода 0,1-1,0, аммоний надсернокислый 0,3-3,0, углерод четыреххлористый 5,0-1...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов, в частности МДП-приборов на полупроводниках типа АIIIВV. Сущность: способ осуществляется путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием. При этом полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может найти широкое применение в технологии полупроводниковых приборов при изготовлении структур диэлектрик полупроводник. Сущность: способ включает анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины. При этом перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы...