Егоркин Владимир Васильевич (RU)

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструированию и созданию различного рода полупроводниковых приборов, требующих определенных электрофизических параметров для межфазных границ полупроводник-диэлектрик. Сущность: структура содержит в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника. При этом химически...