Варламов Олег Игоревич (RU)

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии создания многоэлементных МДП-приборов на полупроводнике кадмий-ртуть-теллурид. Сущность: способ включает формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка. При этом слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С,...