Кокин Вильям Николаевич (RU)

 Изобретение относится к технологии изготовления биполярных планарных транзисторов с полным диффузионным эмиттером. Сущность: способ включает создание коллектора, базы транзистора, нанесение двухслойной маски, нижний слой которой является двуокисью кремния. Затем осуществляется вытравливание в маске эмиттерного окна, боковое подтравливание двуокиси кремния с образованием полости под вторым...

 Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных схем, в частности, к способам изготовления приборов с использованием эпитаксиального наращивания кремния в атмосфере водорода. Сущность: способ включает создание в кремнии р-типа проводимости областей n-типа проводимости, легирование поверхности акцепторной примесью, окисление, вскрытие в окисле окон и эпит...