Гаврищук Е.М.

 Изобретение относится к силовой ИК-оптике, получению пассивных элементов мощных CO2 -лазеров. Сущность изобретения: на подложки из стеклоуглерода, нагретые до 650-750°С, осаждают промежуточный слой селенида цинка в течение 5 ч при концентрации исходных реагентов 40-50 моль/м3 а основной слой при концентрации 20-26 моль/м3. 1 табл. Изобретение относится к силовой ИК-оптике и касается разра...

 Изобретение относится к области ИК-оптики и касается разработки способа получения монолитных образцов поликристаллического сульфида цинка, используемых в оптике видимого и ИК-излучения в качестве материала для конструкционных оптических элементов. Способ включает подачу паров сероводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 600-700oС подложкам и осаждение на них сульфида цинка при общем...