ШУМАНН Стивен Дж. (US)

 Изобретение относится к режиму стирания в матрице флэш-памяти. Техническим результатом является значительное уменьшение возбуждения не выбранных для стирания ячеек памяти при стирании выбранных ячеек памяти. Устройство матрицы флэш-памяти содержит множество транзисторов ячеек памяти, средство для подачи первого напряжения на управляющий затвор, по меньшей мере, одного транзистора стираемо...