Данилина Тамара Ивановна (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора, выполненного на основе нитрида галлия, заключается в том, что на излучающую поверхность наносится пористый слой диоксида кремния с коэффициентом преломления ниже 1,47. Технический результат - увеличение в...

Способ изготовления относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Сущность способа заключается в том, что на световыводящей поверхности GaN-n или GaN-p типов осаждается просветляющее оптическое покрытие SiO2 и в нем формируется микрорельеф в виде наноострий с плотностью 107-108 шт/см2. Данный способ позволяет создавать микроре...

Способ изготовления МДМ-катода предназначен для повышения плотности тока эмиссии и однородности ее распределения по поверхности. На подложку последовательно осаждается металлический нижний электрод на основе пленки молибдена, затем два слоя резистов, в которых формируется рисунок с помощью электронно-лучевой литографии, затем напыляется сплошная пленка молибдена. Наноострийная структура получает...

Изобретение относится к области электронной техники. Способ изготовления МДМ-катода заключается в нанесении на подложку нижнего электрода, диэлектрика, верхнего электрода и формовку структуры. На нижнем электроде создается регулярная наноострийная структура в виде столбиков с плотностью 5·10 см-2 путем электрохимического осаждения металла через шаблон из полимерной пленки со сквозными порами...