PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Крюков Евгений Витальевич (RU)

Изобретатель Крюков Евгений Витальевич (RU) является автором следующих патентов:

Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкостной эпитаксии

Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкостной эпитаксии

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений A3B5 методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии включает нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-р...

2488911

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держ...

2515316

Способ единовременного получения p-i-n структуры gaas, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое

Способ единовременного получения p-i-n структуры gaas, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами жидкостной эпитаксии. В способе единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей р, i и n области в одном эпитаксиальном слое, в ходе процесса эпитаксии при выращивании высокоомной i-области, ограниченной с двух сторон слабо...

2610388

Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Метод ЖФЭ применяют для изготовления оптоэлектронных приборов и приборов силовой электроники. При реализации разработанного способа выращивают дополнительный слой AlxGa1-xAs состава 0,85≤x≤0,95 после формир...

2639263

Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Использование: для изготовления полупроводниковых p-i-n структур на основе системы GaAs-GaAlAs методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает выращивание в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры GaAs-GaAlAs, сформированной из композиции трех последовательных эпитаксиальных слоев GaAs или GaAlAs на подложке GaAs р+-типа пров...

2647209