PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ВОН Кейт Квон Хон (US)

Изобретатель ВОН Кейт Квон Хон (US) является автором следующих патентов:

Способ получения многослойной затворной структуры и ее устройство

Способ получения многослойной затворной структуры и ее устройство

Изобретение относится к получению многослойной затворной структуры для полевого транзистора. Сущность изобретения: способ получения многослойной затворной структуры для полевых транзисторов включает формирование металлсодержащего слоя непосредственно на первом слое нитрида титана TiN, покрывающем области полупроводниковой подложки, предназначенные для первого и второго типов полевых транзисторов...

2498446