ЦИНЬ Вэньцзюнь (US)
Изобретатель ЦИНЬ Вэньцзюнь (US) является автором следующих патентов:
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электри...
2499081