ЭСТЕРЗОН М.А.

 Изобретение относится к микроэлектронике. Предложенный способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин включает формирование на нерабочей стороне пластины функционально являющегося наружным геттером, структурно нарушенного слоя путем образования микрорельефа в процессе снятия регламентируемого припуска посредством обработки шлифованием. При этом в качестве режущего инструмента пр...