ЯКУНИН В.А.
Изобретатель ЯКУНИН В.А. является автором следующих патентов:
![Способ получения цис-1,4-полибутадиена Способ получения цис-1,4-полибутадиена](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3d424236e1e08c81c6af8c273f8006ed.jpg)
Способ получения цис-1,4-полибутадиена
СПОСОБ ПОЛУЧЕШИ ЦИС-1,4-ПОЛЙБУТАДИЕНА пол1-1меризацией бутадиена в углеводородном растворителе в присутствии в качестве катализатора продукта взаимодействия углеводородных IJiffi vi растворов нафтената-никеля, триизобутилалюм-1ния и алкоксипроизводного дифторида бора с последующей дезактивацией катализатора, стабилизацией полимера, выделением его из полимеризата и сушкой, отличаю...
886476![Пленочное мишенное устройство Пленочное мишенное устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b96a63e192d06611e283160c1cd13dd8.jpg)
Пленочное мишенное устройство
СВОЗ СОВЕТСНИХ СО14ИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН „„SU„„1281139 А1 м {51) 5 tt 05 П 6/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н А ВТОРСИОМУ. СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР OO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (46) 23.09.91. Пюл. - 35 (21) 3886927/21 (225 17.04.85 (72) А.В. бац, Л.П.Батвинов, B.M.11HcTряк, Ю.З,Левченко и В.A.ßêóí í (53) 621.384.6(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР Р...
1281139![Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин](/img/empty.gif)
Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин
Изобретение относится к микроэлектронике. Предложенный способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин включает формирование на нерабочей стороне пластины функционально являющегося наружным геттером, структурно нарушенного слоя путем образования микрорельефа в процессе снятия регламентируемого припуска посредством обработки шлифованием. При этом в качестве режущего инструмента пр...
2224330