ШВАБ Хольгер (NL)
Изобретатель ШВАБ Хольгер (NL) является автором следующих патентов:

Приведение в контакт устройства с проводником
Изобретение относится к области приведения в контакт ОСИД с проводником. В способе для приведения в контакт ОСИД с проводником, ОСИД содержит подложку, по меньшей мере, с одной ячейкой, область контакта и инкапсулирующую оболочку, содержащую тонкую пленку, которая содержит нитрид кремния, карбид кремния или оксид алюминия, причем инкапсулирующая оболочка инкапсулирует, по меньшей мере, область к...
2504050
Устройство oled с покрытой шунтирующей линией
Устройство органического светоизлучающего диода (OLED) включает подложку (1), проводящий слой (3), органический слой (2) в качестве активного слоя и шунтирующую линию (4) в качестве дополнительного канала распределения тока, причем проводящий слой (3) обеспечен на подложке (1), шунтирующая линия (4) обеспечена посредством лазерного осаждения на проводящем слое (3), при этом шунтирующая линия (4...
2507638
Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству по меньшей мере с двумя активными областями и к более надежному способу изготовления такого устройства, в котором слой первого электрода осаждают через маску, покрывающую активный материал. Второй активный материал осаждают через другую маску таким образом, чтобы область, которая покрывает и простирается за пределы слоя первого электр...
2603434
Прозрачное устройство осид со структурированным катодом и способ изготовления такого устройства осид
Изобретение описывает устройство ОСИД (1), содержащее органический слой (3), который испускает свет (L1) при работе и который расположен между, по существу, прозрачным анодным слоем (5) и по существу непрозрачным катодным слоем (7). Катодный слой (7) преднамеренно структурирован вдоль основной плоскости протяженности (EP) устройства ОСИД, чтобы содержать, по меньшей мере, одну катодную область (...
2604567
Устройство на органических светодиодах и его изготовление
Использование: для изготовления OLED устройства. Сущность заключается в том, что способ содержит этапы предоставления электропроводящей несущей подложки с первой несущей поверхностью и второй несущей поверхностью, компоновки по меньшей мере первой несущей поверхности со структурированным слоем изоляционного материала в интегральной области, причем слой изоляционного материала сформирован в виде ст...
2626996