Буткевич Георгий Романович (RU)
Изобретатель Буткевич Георгий Романович (RU) является автором следующих патентов:

Способ образования техногенного месторождения
Изобретение относится к горной промышленности, а именно к способам ведения горных работ. Техническим результатом является разделение укладываемых в отвал пород на различные типы, обеспечение сохранности полезных свойств складируемых пород, сокращение времени на подготовку отвала при его последующей разработке в качестве техногенного месторождения. Способ включает подготовку основания гидроотвала...
2513816