Товмасян Владимир Михайлович (RU)

Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники. Способ включает подготовку шихты на основе селенида цинка, помещение ее в реактор, вакуумирование до давления 10-5-10-4 мм.рт.ст., нагрев зоны испарения реактора до температуры испарения, пропускание паров ZnS...

Изобретение относится к способу лазерной резки хрупких прозрачных неметаллических материалов, например стекла, и может быть использовано в стекольной, авиационной, автомобильной и других отраслях промышленности. Сущность изобретения состоит в том, что разделяемый материал подвергается воздействию двух пучков слабопоглощающегося излучения лазера (прямого и отраженного от находящегося под разрезае...