МАДЖУМДАР Арунава (US)
Изобретатель МАДЖУМДАР Арунава (US) является автором следующих патентов:
Наноструктуры с высокими термоэлектрическими свойствами
Изобретение относится к наноструктурам с высокими термоэлектрическими свойствами. Предложена одномерная (1D) или двумерная (2D) наноструктура, являющаяся нанопроволокой из кремния, полученной методом безэлектролизного травления или выращенной методом VLS (пар-жидкость-кристалл). Наноструктура имеет шероховатую поверхность и содержит легированный или нелегированный полупроводник. Предложены вариа...
2515969