ВАН Шидун (FR)

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: изолирующая подложка (12) оснащена первой (18) и второй (20) областями соединения. На подложке (12) сформирована первая сборка из проводниковых или полупроводниковых элементов (14), проходящих параллельно и в первом направлении от первой (18) до второй (20) области соединения. С другой стороны подложки (12) сформирована вторая сборка...