Скорняков Станислав Петрович (RU)
Изобретатель Скорняков Станислав Петрович (RU) является автором следующих патентов:

Конструкция кварцевой ампулы для диффузии легирующих примесей в кремний (диффузии мышьяка) с встроенным приспособлением для управления скоростью последиффузионного охлаждения кремниевых р-п-структур
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-п-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. Кварцевая ампула для диффузии легирующих примесей в кремний методом закрытой трубы состоит из кварцевой колбы 3, в которую загружаются кремниевые пластины 1 и источник диффузии 2, кварцевой шлиф...
2522786
Способ управления и стабилизации скорости последиффузионного (диффузия мышьяка) охлаждения низковольтных (~6в) кремниевых планарных структур прецизионных стабилитронов и устройство для его осуществления
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления р-n-переходов в кремнии методом "закрытой трубы" - методом откачанной запаянной кварцевой ампулы. При управлении и стабилизации скорости последиффузионного охлаждения низковольтных кремниевых р-n-структур ампулы с пластинами структур после высокотемпературного диффузионного отжига принудите...
2538027
Способ пайки силовых полупроводниковых приборов
Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде. В отверстие многоместной кассеты предварительно вставляют вспомогательную стеклянную втулку и загружают соединяемые детали сборки полупроводникового прибора, выполненные в виде полупроводниковых кристаллов, теплоотводов и выводов. Размещают между ними припойные...
2641601
Способ изготовления ограничителей напряжения
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода. И...
2651624
Способ повышения радиационной стойкости термокомпенсированных стабилитронов
Изобретение относится к области разработки и производства радиационно стойких полупроводниковых приборов, преимущественно, низковольтных термокомпенсированных стабилитронов, применяющихся в качестве источников опорного напряжения, т.е. базовых электронных компонентов, в электронных системах высокоточной аппаратуры, в т.ч. в системах управления летательными аппаратами. Технический результат изобрет...
2660317