Шабунина Евгения Игоревна (RU)
Изобретатель Шабунина Евгения Игоревна (RU) является автором следующих патентов:
Способ отбраковки мощных светодиодов на основе ingan/gan
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Способ включает измерение значения спектральной плотности низкочастотного шума каждого светодиода при подаче напряжения в прямом направлении и плотности тока из диапазона 0.1<J<10 А/см2 до и после проведения процесса старения светодиода, осуществляемого в течение времени не менее 50 часов. Старение проводят при температуре p-n-перехода из...
2523105Способ отбраковки мощных светодиодов на основе ingan/gan
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраков...
2541098