ЧОЙ Генри Квонг-Хин (US)
Изобретатель ЧОЙ Генри Квонг-Хин (US) является автором следующих патентов:
Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией
Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости. Формируются канавки в слоях СИД, которые проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости. Области электрической изоляции формируются на или примыкающими к, по меньшей мере, участкам слоя первого типа п...
2523777