PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЧОЙ Генри Квонг-Хин (US)

Изобретатель ЧОЙ Генри Квонг-Хин (US) является автором следующих патентов:

Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией

Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости. Формируются канавки в слоях СИД, которые проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости. Области электрической изоляции формируются на или примыкающими к, по меньшей мере, участкам слоя первого типа п...

2523777