СЕ Шишу (CN)
Изобретатель СЕ Шишу (CN) является автором следующих патентов:
Способ производства нетекстурированной электротехнической стали с высокой магнитной индукцией
Изобретение относится к способу производства нетекстурированной электротехнической стали с высокой магнитной индукцией. Способ включает выплавку стали с химическим составом, вес.%: Si 0,1-1, Al 0,005-1,0, C≤0,004, Mn 0,10-1,50, P≤0,2, S≤0,005, N≤0,002, Nb+V+Ti≤0,006, остальное Fe и неустранимые включения, получение отливки в виде стального прутка, нагрев стального прутка до температуры в диапа...
2527827Способ производства нетекстурированной электротехнической стали с высокими магнитными свойствами
Изобретение относится к способу производства нетекстурированной электротехнической стали с высокими магнитными свойствами. Способ включает выплавку стали, содержащей, мас.%: C≤0,0040, Si 0,1-0,8, Al 0,002-1,0, Mn 0,10-1,50, P≤0,2, Sb 0,04-0,08, S≤0,0030, N≤0,0020, Ti≤0,0020, Fe и неизбежные примеси - остальное, отливку стальных прутков, нагрев прутков до температуры 1100-1150°C, горячую прокатку...
2532786Способ получения особо толстого изоляционного покрытия на поверхности электротехнической стали
Изобретение относится к способам нанесения покрытий и пленок на поверхности узкой полосовой стали и может быть использовано для получения особо толстого изоляционного покрытия на поверхности электротехнической стали. Способ создания особо толстого изоляционного покрытия на поверхности электротехнической стали содержит этапы: 1) приготовления жидкости для нанесения покрытия достаточным перемешива...
2568727Нетекстурированная электротехническая листовая сталь и способ ее изготовления
Изобретение относится к области металлургии, а именно к получению нетекстурированной электротехнической листовой стали. Заготовка листовой стали содержит следующие компоненты, мас.%: Si: 0,1-2,0, Al: 0,1-1,0, Mn: 0,10-1,0, С: ≤0,005, P: ≤0,2, S: ≤0,005, N: ≤0,005, остальное представляет собой Fe и неизбежные примеси. Магнитная проницаемость листовой стали удовлетворяет следующим выражениям: µ10+...
2586169