PatentDB.ru — поиск по патентным документам

КРУТОВА Лариса Ивановна (RU)

Изобретатель КРУТОВА Лариса Ивановна (RU) является автором следующих патентов:

Устройство для выращивания монокристаллических труб и способ их получения

Устройство для выращивания монокристаллических труб и способ их получения

Изобретение относится к технологии выращивания труб из монокристаллов тугоплавких оксидов металлов и их твердых растворов: сапфира, алюмо-магниевой шпинели, алюмо-иттриевого граната, и может быть использовано в различных областях науки и техники, где требуются высокопрочные, инертные и термостойкие трубы. Устройство включает тигель, состоящий из соосно расположенных, выполненных из молибдена нар...

2531823

Способ выращивания кристаллов гадолиний-скандий-алюминиевых гранатов для пассивных лазерных затворов

Способ выращивания кристаллов гадолиний-скандий-алюминиевых гранатов для пассивных лазерных затворов

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах и лидарах, работающих в области 1,2-1,55 мкм. Кристаллы выращивают методом Чохральского из расплава исходной шихты, в котором в качестве шихты используют полученный методом твердофазного синтеза гадолиний-скандий-алюминиевый гранат состава Gd2,88Sc1,89Al3V0,03O12, причем...

2550205