PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Чиненков Максим Юрьевич (RU)

Изобретатель Чиненков Максим Юрьевич (RU) является автором следующих патентов:

Переключатель и коммутатор

Переключатель и коммутатор

Изобретение касается переключателя или коммутатора, содержащего хотя бы один такой переключатель, который содержит бистабильный элемент в МЭМС-исполнении, средства переключения и коммутационный узел. В качестве коммутационного узла использован МДП-транзистор, подвижным затвором которого служит подвижная подпружиненная мембрана с хотя бы одним проводящим элементом над областью канала МДП-...

2532684

Датчик давления

Датчик давления

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для использования в приборах измерения давления жидкостей и газов. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и технологии изготовления датчика давления. Датчик давления содержит измерительный блок, упругую мембрану и, по меньшей мере, один колебательный упругий элемент (резонатор), связанный с мембраной с возм...

2547757

Магниторезистивная ячейка памяти и способ ее использования

Магниторезистивная ячейка памяти и способ ее использования

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти. Магниторезистивная ячейка памяти содержит перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, а также средства записи и считывания, при этом дополнительно содержит закрепляющий слой из полупроводникового материала p- или n-...

2573200

Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты)

Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты)

Использование: для регистрации постоянных и переменных магнитных полей. Сущность изобретения заключается в том, что преобразователь магнитного поля состоит из четырех магниторезисторов, выполненных на подложке с окисленным слоем в виде тонкопленочных магнитных полосок с шунтирующими полосками из проводящего материала под углом 45° к продольной оси магниторезисторов, включенных в мостовую схему с п...

2635330