Иовдальскийй В.А.

 Использование: в электронной технике, при конструировании гибридных интегральных схем для твердотельных модулей. Техническим результатом изобретения является улучшение теплорассеивания от кристалла полупроводникового прибора и повышение надежности схемы. Сущность изобретения: кристалл полупроводникового прибора расположен в углублении на лицевой стороне диэлектрической подложки платы, с о...