Кадушкин В.И.

 Сущность: генератор 9 синхронно с вращением подложкодержателя 4 вырабатывает импульсы, отпирающие пушку 5 быстрых электронов, которая вырабатывает импульсы с периодом, равным периоду вращения подложки. Дифрагированный пучок электронов регистрируется детектором 6. Фильтр 10 выделяет из зарегистрированного детектором 6 дискретного сигнала низкочастотную составляющую, несущую информацию об и...

  Использование: изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs , чувствительных к ИК-излучению. Сущность изобретения: в фотодетекторе на основе полупроводниковой структуры с квантовыми ямами, включающем подложку из полуизолирующего GaAs с буферным слоем 1 - GaAs, первый контактный слой N - GaA...

 Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости. Использование изобретения позволяет повысить температуру перехода полупроводниковой наноструктуры с квантовыми ямами в сверхпроводящее сос...