Шушков В.М.

 Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. Положение уровня расплава контролируют с помощью видеокамеры, которую устанавливают под углом к вертикали. С помощью непрерывно получаемого видеоизображения определяют угол между вертикалью и лучом, проходящим через фокус оптической системы видеокамеры и центр окружности, образованной выращиваемым кристаллом на границ...