Щербаков Н.А.

  Класс 2)4, 20о? 21, 81 q r? t с, 1 ! 1 ! 1 ьпо ь, « СССР OHNCAHI4E I43QEPETEHVlR К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная аруппа Ло 98 Н. А. Щербаков, М, А. Фриш. А. И. Саяпин, М. Н. Доржиев, Е. H. Шабуров, И. Г. Иценко, А. С. Смирнова и А. В. Гергард УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОДОВ Заявлено 29 августа 1960 г. за ЛЪ 677791/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при...

 Использование: изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, в частности к способу и устройству для удаления позитивного фоторезиста с поверхности полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: целью изобретения является повышение качества удаления фоторезиста за счет полного удаления граничной пленки с рабочей поверхности. Способ заключается в облучении ультрафиол...

 Использование: при поисково-оценочных работах, детальной разведке и доразведке мусковитовых месторождений для повышения достоверности качественной и количественной оценки слюдоносности мусковитовых пегматитов. Сущность изобретения: оценку слюдоносности мусковитовых пегматитов производят путем измерения максимальных значений интенсивностей фотолюминесценции ионов двухвалентного марганца и...

 Изобретение относится к способу изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления. Способ включает формирование на полупроводниковой пластине изоляционного слоя оксида методом окисления в сухом кислороде, осаждение защитной пленки LPCVD нитрида кремния. Осаждение первого слоя LPCVD поликремния, формирование с помощью литографии...