Равилов М.Ф.

 Изобретение относится к способу изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления. Способ включает формирование на полупроводниковой пластине изоляционного слоя оксида методом окисления в сухом кислороде, осаждение защитной пленки LPCVD нитрида кремния. Осаждение первого слоя LPCVD поликремния, формирование с помощью литографии...