Бабошко Леонид Владимирович (RU)
Изобретатель Бабошко Леонид Владимирович (RU) является автором следующих патентов:
Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan
Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN. Изготовление осуществляют по меза-технологии ионным травлением до слоя n+ -AlGaN, затем поверхность меза...
2536110