Семенов Андрей Николаевич (RU)
Изобретатель Семенов Андрей Николаевич (RU) является автором следующих патентов:
![Сильфонный осевой компенсатор для бесканальной прокладки трубопровода с тепловой изоляцией Сильфонный осевой компенсатор для бесканальной прокладки трубопровода с тепловой изоляцией](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4883785cd642a40859cf7d940e28baba.jpg)
Сильфонный осевой компенсатор для бесканальной прокладки трубопровода с тепловой изоляцией
Изобретение относится к устройствам для компенсации перемещений трубопроводов. Компенсатор размещен на трубопроводе с теплоизоляцией, состоящей из пенополиуретанового слоя и полиэтиленовой оболочки. Компенсатор содержит металлический сильфон с приваренными к нему патрубками разной длины, который расположен в защитном стальном корпусе и снабжен направляющими в виде трех фланцев, ограничивающих то...
2536654![Способ теплового неразрушающего контроля скрытых дефектов вспененного изолирующего слоя в изделиях с многослойной структурой Способ теплового неразрушающего контроля скрытых дефектов вспененного изолирующего слоя в изделиях с многослойной структурой](/img/empty.gif)
Способ теплового неразрушающего контроля скрытых дефектов вспененного изолирующего слоя в изделиях с многослойной структурой
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для технической диагностики неоднородных конструкций. Согласно заявленному решению перед проведением тепловизионного обследования выбирают время тепловой инерции равным 3-20 минут в зависимости от скорости реакции компонентов пенополиуретана, марки оболочки и толщины слоя изолирующего слоя пенополиуретана на трубе. П...
2578260![Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7440203087b1610ba25063e9359baf68.jpg)
Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля
Изобретение относится к силовым полупроводниковым модулям и может использоваться в преобразовательной технике. Подмодуль полумостовой силового полупроводникового модуля, содержащий электроизоляционную теплопроводящую подложку с токоведущим слоем, имеющим силовые полигоны: первый DC+ и АС, на которых расположены параллельные ряды силовых полупроводниковых элементов, образующие плечи полумоста; три...
2656302