Гохфельд Д.М.
Изобретатель Гохфельд Д.М. является автором следующих патентов:
Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников
Изобретение относится к области магнитометрии, радиоэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано в криоэлектронике, в частности для точного измерения слабых магнитных полей. Способ получения композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников включает приготовление композита из высокотемпературной сверхпроводящей керамики и диэлектрика и их спекание, пр...
2228311