PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СОЛОВЬЕВ Игорь Игоревич (RU)

Изобретатель СОЛОВЬЕВ Игорь Игоревич (RU) является автором следующих патентов:

Зонд на основе полевого транзистора с наноразмерным каналом

Зонд на основе полевого транзистора с наноразмерным каналом

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой зонд на основе полевого транзистора с наноразмерным каналом и может быть использовано при определении физико-химических и электрических параметров наноразмерных объектов физической, химической и биологической природы. Зонд включает наноразмерный чувствительный элемент, размещенный на острие и образующий канал транзистора, электрод...

2539677

Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами

Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами

Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной...

2544275

Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти

Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти

Технический результат изобретения состоит в увеличении изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока по сравнению с предыдущими геометриями, что открывает возможности для миниатюризации сверхпроводящих элементов памяти. Дополнительный технический результат изобретения состоит в возможности обеспечить достаточно высокую характерную частоту джозефсоновской г...

2554612

Джозефсоновский 0-пи переключатель

Джозефсоновский 0-пи переключатель

Изобретение относится к криогенной электронике, представляет собой джозефсоновский 0-π переключатель и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах, в устройствах сверхпроводниковой электроники. Устройство выполнено по планарной технологии и состоит из двух сверхпроводящих электродов и области слабой связи, включа...

2554614