Терашкевич И.М.

 Использование: при производстве пластин монокристаллического кремния для изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: для окисления поверхности кремниевых пластин используют водный раствор надсернокислого сульфата аммония. Техническим результатом изобретения является получение защитного слоя диоксида кремния высокой чистоты и плотности без увеличения стоимости процесса.Данный способ об...