Самотаев Николай Аркадьевич (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления оксидного слоя, являющегося основным структурным элементом интегральных схем на основе МОП-транзисторов. Изобретение обеспечивает возможность получения пленок диоксида кремния, обладающих повышенным пробивным напряжением и меньшей чувствительностью к ионизирующему излучению, что обеспечивает возможность созда...