Стенин Владимир Яковлевич (RU)
Изобретатель Стенин Владимир Яковлевич (RU) является автором следующих патентов:

Триггер комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры микросхемы
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в элементах управления микропроцессорных КМОП микросхемах и элементах считывания запоминающих устройств. Техническим результатом является повышение устойчивости к воздействию одиночных ядерных частиц без избыточного увеличения площади, занимаемой триггером на кристалле в составе интегральной КМОП микросхемы. Триггер...
2541894
Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сбоеустойчивости к воздействию одиночных ядерных частиц без избыточного увеличения площади, занимаемой одной ячейкой памяти на кристалле в составе интегрального КМОП ОЗУ. Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ОЗУ состоит из пар NMOП и РМОП транзисторов, соединенных между...
2554849
Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках многопортовых статических КМОП ОЗУ. Технический результат заключается в повышении надежности чтения данных из ячейки памяти при воздействии одиночной ядерной частицы в режиме, когда триггер ячейки памяти на основе двух групп транзисторов находится в неравновесном состоянии. Ячейка памяти комплементарной мет...
2580071
Блок памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры озу
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках статических КМОП ОЗУ. Техническим результатом является повышение надежности чтения данных из ячеек памяти при воздействии одиночной ядерной частицы в режиме, когда ячейка памяти на основе двух групп транзисторов временно находится в нестационарном состоянии. Устройство содержит выходную шину блока памяти, я...
2580072
Многовходовой логический элемент комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры декодера
Изобретение относится к области вычислительной техники. Технический результат - повышение помехоустойчивости многовходового логического элемента при воздействии одиночной ядерной частицы. Для этого предложен многовходовой логический элемент комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры декодера, который состоит из статических элементов ИЛИ-НЕ и статических элементов И-НЕ, соединенных м...
2616170
Логический элемент сравнения комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ассоциативного селектора запоминающего устройства
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в блоках ассоциативных селекторов запоминающих устройств. Техническим результатом является повышение помехоустойчивости логического элемента при воздействии одиночных ядерных частиц. Устройство содержит два инвертора с третьим состоянием, порт записи данных, триггер, состоящий из двух групп транзисторов, каждая из кот...
2621011